CMF80R450P功率MOSFET，是采用廣東場效應半導體有限公司（Cmos）先進的超級結技術，實現非常低的內阻RDS(on)和柵極電荷QG。
CMF90R450Q功率MOSFET，是采用廣東場效應半導體有限公司（CMOS）先進的超級結技術，實現非常低的電阻和柵極電荷。
CMH65R115P功率MOSFET，使用Cmos先進的超結技術，實現非常低的電阻和門電荷。采用優化的電荷耦合技術，可以提供高效率。具有超結MOS的各種優點，可以很容易快速地應用到新的和現有的電源設計中。
CMF65R105使用Cmos先進的超級結技術，可以實現非常低的電阻和門電荷。采用優化的電荷耦合技術可以提供高的效率。
CMD65R290功率MOSFET，使用Cmos先進的超結技術，實現非常低的電阻和門電荷。采用優化的電荷耦合技術，可以提供高效率。
