CMD65R380Q功率MOSFET，使用Cmos先進的超結技術，提供優秀的RDS(ON)和極低門電荷。
CMP107N20是采用Cmos柵極多級分割優化溝槽工藝研發的N溝道金屬氧化物半導體場效應管，設計理念追求高能效、綠色和可持續發展。
CMD170P03A是Cmos通過控制載流子溝道物理尺寸（ChannelWidth/Channel Length），并采用溝槽工藝制造而成的一款金屬氧化物半導體場效應晶體管。
CMD065N04 Cmos為電源DC-DC模塊開發的一款物料，得益于Cmos對于半導體先進制造工藝的研究和創新，這款物料具有多項優秀的參數，整體性能卓越。
在戶外UPS電源供電設備中，低功耗尤為重要。CMH029N10以低飽和導通電阻（RDSON僅為2.4mΩ）實現了極低的功耗，使其在待機狀態時有效降低電池電能損耗。
