高電流MOS：CMB180N04-7
高電流MOS：CMB180N04-7
CMB180N04-7是采用廣東場效應(yīng)半導(dǎo)體有限公司（Cmos）先進的工藝和技術(shù)，是專為高電流開關(guān)應(yīng)用而設(shè)計的N通道MOS場效應(yīng)晶體管。提供非常優(yōu)秀的RDS（ON），非常適用于先進的高效開關(guān)應(yīng)用，可應(yīng)用于負載切換開關(guān)、電池保護電路、電機控制等。是一款高效、可靠的優(yōu)秀MOS管。
卓越的電氣特性
CMB180N04-7的主要電氣特性包括：
耐壓能力：CMB180N04-7的耐壓（BVDSS）為40V。
電流能力：在Tc=25℃條件下，其最大連續(xù)漏極電流（ID）是180A。
雪崩能量：CMB180N04-7采用Cmos先進的技術(shù)和設(shè)計，100%雪崩能量測試，單次雪崩能量EAS為400mJ。
低熱阻：CMB180N04-7采用TO-263-7封裝，具有優(yōu)秀的熱管理性能，其結(jié)到殼的熱阻（RθJC）為0.9℃/W。
低導(dǎo)通電阻：在柵極電壓（VGS）為10V時，CMB180N04-7的導(dǎo)通電阻（RDS(on)）最大只有1.6mΩ。低導(dǎo)通電阻降低了導(dǎo)通狀態(tài)下的損耗，能提高整體電路的能效，在產(chǎn)品應(yīng)用中更高效。
低開關(guān)損耗：低QG、結(jié)電容，使其具有優(yōu)越的開關(guān)性能，和低開關(guān)損耗。
適用范圍廣泛
CMB180N04-7 由于其優(yōu)異的特性，適用于多種應(yīng)用電路，包括不限于負載切換開關(guān)、電池保護電路、電機控制等。
MOS管的低熱阻、低導(dǎo)通電阻直接決定管子工作時的低溫升、高可靠性、高能效；低QG、低結(jié)電容，使管子有較好的開關(guān)特性及低開關(guān)損耗。通過優(yōu)化半導(dǎo)體材料和制造工藝，Cmos成功地將這些優(yōu)秀特性集成到CMB180N04-7中，使其在電路應(yīng)用中表現(xiàn)出色，能夠在各種高應(yīng)力環(huán)境下穩(wěn)定工作。
