CMF65R190SD：優秀開關電源MOS
CMF65R190SD是一款采用Cmos先進超結技術的功率MOSFET。它不僅具備快速開關的超結MOSFET的所有優點，還提供了一個快恢復的體二極管。這種組合，結合極低的開關、換向和傳導損耗以及最高的魯棒性，使得共振開關應用更加可靠、高效且輕便。提供優秀的RDS(ON)和極低門電荷。采用優化的電荷耦合技術，提供高效率。非常適合各類開關切換模式電源及充電電源。
卓越的電氣特性
CMF65R190SD的主要電氣特性包括：
耐壓能力：CMF65R190SD的耐壓（BVDSS）為650V。
電流能力：在Tc=25℃條件下，其最大連續漏極電流（ID）為20A。
雪崩能量：CMF65R190SD采用Cmos先進的超結技術，100%雪崩能量測試，單次雪崩能量EAS為960mJ。
低EMI：CMF65R190SD采用Cmos先進的超結技術，應用時具有低EMI、易通過EMC測試的特點。
低熱阻：CMF65R190SD采用TO-220F封裝，具有良好的熱管理性能，其結到殼的熱阻（RθJC）為2.78℃/W，有良好的散熱能力。
低導通電阻：在柵極電壓（VGS）為10V時，CMF65R190SD的導通電阻（RDS(on)）最大為190mΩ。低導通電阻能降低導通狀態下的損耗，提高電路的能效，使得在開關電源電路應用中效率更高。
低開關損耗：低QG、較小的CISS，使其具有優越的開關性能，較小的開關損耗。
適用范圍廣泛
CMF65R190SD 由于其優異的特性，適用于多種開關切換電源，MOS管的低熱阻、低導通電阻直接決定管子工作時的低溫升、高可靠性、高能效；低QG、低結電容，使管子有較好的開關特性及低開關損耗。
通過優化半導體材料和制造工藝，Cmos成功地將這些優秀特性集成到CMF65R190SD中，使其成為各種開關切換類電源應用中表現優秀的MOS。
