文檔幫助中心
優秀的大電流MOS：CMSL025N12
CMSL025N12是采用廣東場效應半導體有限公司（Cmos）先進的SGT工藝技術和設計，提供非常優秀的RDS（ON），廣泛應用于負載開關、電池保護電路、UPS電源、能量逆變器電源、電機驅動等。是一款高效、可靠的優秀MOS管。
卓越的電氣特性
CMSL025N12的主要電氣特性包括：
耐壓能力：CMSL025N12的耐壓（BVDSS）為120V。
電流能力：在Tc=25℃條件下，其最大連續漏極電流（ID）是240A。
雪崩能量：CMSL025N12采用先進的SGT技術，100%雪崩能量測試，單次雪崩能量EAS為3610mJ。
低熱阻：CMSL025N12采用TOLL-8封裝，具有優秀的熱管理性能，其結到殼的熱阻（RθJC）為0.31℃/W。
低導通電阻：在柵極電壓（VGS）為10V時，CMSL025N12的導通電阻（RDS(on)）最大只有2.6mΩ。低導通電阻降低了導通狀態下的損耗，能提高整體電路的能效，在產品應用中更高效。
低開關損耗：低QG、結電容，使其具有優越的開關性能，和低開關損耗。
適用范圍廣泛
CMSL025N12 由于其優異的特性，適用于多種應用電路，包括不限于負載開關、電池保護電路、UPS電源、能量逆變器電源、電機驅動等。MOS管的低熱阻、低導通電阻直接決定管子工作時的低溫升、高可靠性、高能效；低QG、低結電容，使管子有較好的開關特性及低開關損耗。
CMSL025N12優秀的電氣特性，使其能夠在各種高應力環境下穩定工作。通過優化半導體材料和制造工藝，Cmos成功地將這些優秀特性集成到CMSL025N12中，使其在電路應用中表現出色。
