CMD5951：防盜器優(yōu)秀MOS
CMD5951：防盜器優(yōu)秀MOS
CMD5951采用Cmos先進(jìn)的溝槽技術(shù)和設(shè)計(jì)，提供優(yōu)秀的RDS（ON）與低門電荷，具有低導(dǎo)通損耗和低開關(guān)損耗，它可以高效用于多種應(yīng)用電路中，包括不限于DC-DC直流變換器、逆變器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等。憑借其卓越的電氣特性和高可靠性，是市場(chǎng)非常認(rèn)可、優(yōu)秀的防盜器MOS元件。
卓越的電氣特性
CMD5951的主要電氣特性包括：
耐壓與電流能力：CMD5951的耐壓（BVDSS）為-100V，在25℃條件下，其最大連續(xù)漏極電流（ID）可達(dá)-30A。
可靠性好：CMD5951采用Cmos先進(jìn)的溝槽技術(shù)和設(shè)計(jì)，單次雪崩能量為270mJ，使其有較強(qiáng)的抗沖擊能力，提升了其耐用性和可靠性。
低熱阻：CMD5951采用TO-252封裝，具有優(yōu)秀的熱管理性能，其結(jié)到殼的熱阻（RθJC）低至1.25℃/W。有很好的散熱能力，工作時(shí)能夠有效地將熱量散發(fā)出去，防止過熱，提高了系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。
低導(dǎo)通電阻：在柵極電壓（VGS）為10V時(shí)，CMD5951的導(dǎo)通電阻（RDS(on)）不超過65mΩ。低導(dǎo)通電阻降低了導(dǎo)通狀態(tài)下的損耗，還提高了整體電路的能效。
低Qg：較低的Qg，使管子更容易驅(qū)動(dòng)，開關(guān)損耗低，提高了電路效率。
適用范圍廣泛
CMD5951 MOS管由于其優(yōu)異的特性，適用于多種應(yīng)用場(chǎng)景，特別是防盜器電路中，MOS管的高EAS、低熱阻、低導(dǎo)通電阻直接影響抗沖擊能力、可靠性、能效，CMD5951表現(xiàn)出色，能夠很好地滿足電路需求。
CMD5951 MOS管采用的TO-252封裝，提供了良好的散熱途徑，其耐壓和電流能力使其能夠在各種高應(yīng)力環(huán)境下穩(wěn)定工作。通過優(yōu)化半導(dǎo)體材料和制造工藝，CMOS成功地將這些特性集成到CMD5951中，使其在防盜器等電路應(yīng)用中表現(xiàn)出色。
